型号 | IPG20N06S3L-35 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
IPG20N06S3L-35 PDF | ![]() |
代理商 | IPG20N06S3L-35 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 26/Nov/2010 |
标准包装 | 5,000 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 11A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 15µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1730pF @ 25V |
功率 - 最大 | 30W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000396306 |